contact_support
8 hüvelykes SiC epitaxiális wafer, 200 mm átmérő, 500 mm vastagság, 4H-N típusú
8 hüvelykes SiC epitaxiális wafer, 200 mm átmérő, 500 mm vastagság, 4H-N típusú
  • 8 hüvelykes SiC epitaxiális wafer, 200 mm átmérő, 500 mm vastagság, 4H-N típusú
  • 8 hüvelykes SiC epitaxiális wafer, 200 mm átmérő, 500 mm vastagság, 4H-N típusú

8 hüvelykes SiC epitaxiális wafer, 200 mm átmérő, 500 mm vastagság, 4H-N típusú

22,397 Ft
Elérhető

redeem -10% új felhasználóknak a kóddal: NEWHU

16 szeptember - 27 szeptember

Könnyű visszaküldés

  • lock Biztonságos fizetés
  • assignment_return Problémamentes visszaküldés
  • policy Személyes adatok védelem
  • local_shipping Biztonságos szállítás

A kereskedő elfogadja a termék visszaküldését 14 napon belül.

A Badu 14 napon belül elfogadja a megvásárolt termékek visszaküldését - a kézhezvétel napjától számítva*(kivéve fürdőruhákat és fehérneműket).

A Badu nem vállal felelősséget a vásárlásért 8 hüvelykes SiC epitaxiális wafer, 200 mm átmérő, 500 mm vastagság, 4H-N típusú Ettől: Félvezető Alkatrészek Ha az nem a megrendelőlapon keresztül történt.

Termékspecifikációk

  • márka: Shanghai zhiming
  • termékkód: Nancy0715–01
  • Jellemző: Elektromos teljesítményelőnyök és megbízhatósági garancia
  • használat: Fő hajtású inverter új energiajárművekhez, fotovoltaikus energiatároló inverter, 5g bázisállomás RF modul
  • Vannak magán márkák, amelyek engedélyezhetők: Igen
  • Műszaki adatok: 8 hüvelykes szilícium-karbid epitaxiális ostya

Termékleírás

  • 8 hüvelykes SiC epitaxiális wafer, 200 mm átmérő, 500 mm vastagság, 4H-N típusú

schedule Nemrég megtekintett - Félvezető Alkatrészek

more További termékek tőle Eszközök

Mutasd az összes terméket

more További termékek tőle Otthon és kert

Mutasd az összes terméket