-
4 hüvelykes SiC monokristály:
4 hüvelykes SiC monokristály wafer, 4H/N típusú, magas tisztaságú és egyenletes felülettel a magas teljesítményű eszközökhöz.
-
4H/N típus:
Nitrogén-dópelt N-típusú vezetőképesség széles sávú alkalmazásokhoz; ellenállás körülbelül 0.01–0.03 Ω·cm (N-dopálás 1×10¹⁸–1×10¹⁹ cm⁻³).
-
Magas síkosság:
Magas síkosság a következetes feldolgozás és metrológia érdekében.
-
Kiváló hővezetés:
Hővezetés kb. 348 W/m·K a hatékony hőelvezetésért.
-
Kémiai és oxidációs ellenállás:
Kedvezőtlen kémiai környezetekkel szembeni ellenállás; oxidációs stabilitás akár 600°C-ig.
-
Testreszabható méretek:
Gyárilag elérhető különböző méretek testreszabása.
-
Mechanikai és elektromos teljesítmény:
Magas törésfeszültség és megbízható mechanikai tulajdonságok biztosítják a megbízható elektromos teljesítményt.
