-
4 hüvelykes SiC:
N-típusú, 4H-SiC monokristályos wafer 4 hüvelykes átmérővel.
-
N-típus vezetőképesség:
N-típus dopolású, hatékony elektronátritolást biztosítva SiC-eszközökben.
-
4H kristálystruktúra:
A 4H polimorf stabilitást és magas elektromos teljesítményt nyújt.
-
Magas tisztaság és síkfelület:
Magas tisztaság és síkfelület a folyamatos gyártási egyenletességért.
-
Magas hővezetés:
Monokristályos SiC ~348 W/m·K hővezetés, amely hatékony hőelvezetést biztosít.
-
oxidációs és hőállóság:
Magas hőmérsékleten is oxidációs ellenállás, 600°C feletti stabil működés.
-
Méret testreszabhatóság:
Gyárilag testreszabható méretek a megrendelő igényei szerint.
